A pekingi Tsinghua Egyetem kutatói a Terminátor 2. részének T-1000-esét idéző áttöréssel egy teljesen rugalmas, „FlexRAM” néven ismert memóriaeszközt fejlesztettek ki, amely gallium-alapú folyékony fémet (GLM) használ az adatok írásához és olvasásához.
Ez az új folyékony fém RAM, amely szinte bármilyen deformációnak ellenáll, reverzibilis elektrokémiai oxidációt használ a célfolyadék-fémek általános vezetőképességének módosítására. Az Advanced Materials című folyóiratban megjelent kutatás részletesen bemutatja, hogy a GLM-cseppek hogyan mennek keresztül oxidációs és redukciós mechanizmusokon egy olyan oldatkörnyezetben, amely az idegsejtek hiperpolarizációját és depolarizációját utánozza. Ez az egyedülálló folyamat lehetővé teszi az 1-ek és 0-k írását, amikor egy alacsony feszültség oxidálja a folyékony fémet, hogy az „1-et” képviselje, egy fordított feszültség pedig visszavezeti a fémet az alacsony ellenállású „0” állapotba.
A GLM cseppeket Ecoflex, egy nyújtható biopolimerbe burkolták. A kutatók 3D nyomtatóval készítettek Ecoflex-formákat, és a GLM-cseppeket és egy polivinil-acetát-hidrogél oldatot külön-külön fecskendeztek a forma üregeibe. Ez az eljárás növeli az eszköz ellenállási arányát és megakadályozza az oldat szivárgását.
A jelenlegi prototípus egy illékony memória, de megmutatta, hogy képes az adatokat akár 12 órán át megőrizni, még akkor is, ha az áramot kikapcsolták. Ez a tulajdonság, valamint a több mint 3500 működési cikluson át tartó stabil teljesítménye azt sugallja, hogy a FlexRAM-ot a memória különböző formáivá lehet fejleszteni.
A folyékony fém RAM lenyűgöző stabilitást mutatott még szélsőséges deformációk, például 100 százalékos nyújtás, 180°-os hajlítás és 360°-os csavarás esetén is. Ez a rugalmasság izgalmas lehetőségeket sejtet a jövőbeli puha intelligens robotokban, agy-gép interfészrendszerekben és viselhető/beültethető elektronikában való felhasználására.
(forrás)
